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RW1A013ZPT2R Image

Rohm Semiconductor RW1A013ZPT2R

Numéro de pièce MFG
RW1A013ZPT2R
quantité disponible
36620 Pièces
Prix de référence
USD 0.096472
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RW1A013ZPT2R.pdf
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RW1A013ZPT2R Caractéristiques

Référence fabricant RW1A013ZPT2R
Numéro de pièce future FT-RW1A013ZPT2R
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RW1A013ZPT2R Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-WEMT
Paquet / caisse SOT-563, SOT-666
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1A013ZPT2R Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RW1A013ZPT2R-FT

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