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ON Semiconductor NVMTS0D7N04CTXG

Name: NVMTS0D7N04CTXG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMTS0D7N04CTXG
Price: 2.247168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (437 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVMTS0D7N04CTXG

quantité disponible: 70040 Pièces

Prix de référence: USD 2.247168

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 AFSM T6 40V SG NCH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVMTS0D7N04CTXG.pdf

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NVMTS0D7N04CTXG Caractéristiques

Référence fabricant	NVMTS0D7N04CTXG
Numéro de pièce future	FT-NVMTS0D7N04CTXG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVMTS0D7N04CTXG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	51A (Ta), 430A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.67 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9281pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.9W (Ta), 273W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMTS0D7N04CTXG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVMTS0D7N04CTXG-FT

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