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Vishay Siliconix SIUD401ED-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SIUD401ED-T1-GE3
quantité disponible
44590 Pièces
Prix de référence
USD 0.084864
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® Gen III MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIUD401ED-T1-GE3.pdf
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SIUD401ED-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SIUD401ED-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SIUD401ED-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET® Gen III
SIUD401ED-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.573 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 0806
Paquet / caisse PowerPAK® 0806
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIUD401ED-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIUD401ED-T1-GE3-FT

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