maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCMT099N65S3
Référence fabricant | FCMT099N65S3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FCMT099N65S3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET® III |
FCMT099N65S3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2270pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 227W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Power88 |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCMT099N65S3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCMT099N65S3-FT |
DMP2040UVT-7
Diodes Incorporated
DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated
DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFV-13
Diodes Incorporated
DMN2990UFO-7B
Diodes Incorporated
NVATS5A114PLZT4G
ON Semiconductor
NTMFS4C800NT1G
ON Semiconductor
DMT4002LPS-13
Diodes Incorporated
NVTFS5C478NLTAG
ON Semiconductor
DMG3N60SCT
Diodes Incorporated