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Référence fabricant | SISS92DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SISS92DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SISS92DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A (Ta), 12.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 173 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 125V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8S |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS92DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SISS92DN-T1-GE3-FT |
DMN63D1LT-7
Diodes Incorporated
DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated
DMT69M8LFV-7
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DMP3007SCG-13
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DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFV-13
Diodes Incorporated
DMN2990UFO-7B
Diodes Incorporated
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel