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Vishay Siliconix SISS92DN-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SISS92DN-T1-GE3
quantité disponible
32450 Pièces
Prix de référence
USD 0.45264
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SISS92DN-T1-GE3.pdf
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SISS92DN-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SISS92DN-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SISS92DN-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SISS92DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 173 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 125V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
Paquet / caisse PowerPAK® 1212-8S
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISS92DN-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SISS92DN-T1-GE3-FT

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