maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MX0912B351Y,114
Référence fabricant | MX0912B351Y,114 |
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Numéro de pièce future | FT-MX0912B351Y,114 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MX0912B351Y,114 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Fréquence - Transition | 1.215GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 7.6dB |
Puissance - Max | 960W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 21A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-439A |
Package d'appareils du fournisseur | CDFM2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX0912B351Y,114 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MX0912B351Y,114-FT |
MMBTH10M3T5G
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MMBTH10LT3G
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Microsemi Corporation
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10AX027H3F35E2SG
Intel
XC6SLX16-N3CSG225C
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XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation