maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBTH10LT1G
Référence fabricant | MMBTH10LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-MMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBTH10LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Fréquence - Transition | 650MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBTH10LT1G-FT |
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
LCMXO2-256ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
EP4SGX530HH35C2ES
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
EP1S30F780C7
Intel