maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBTH10LT1G
Référence fabricant | MMBTH10LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-MMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBTH10LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Fréquence - Transition | 650MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBTH10LT1G-FT |
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
XC6SLX25-3FTG256I
Xilinx Inc.
XCVU080-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FG256K
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C2
Intel
5SGXMA7K1F40I2N
Intel
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG100
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC240-2
Intel