maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBT918LT1G
Référence fabricant | MMBT918LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-MMBT918LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBT918LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 600MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
Gain | 11dB |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT918LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBT918LT1G-FT |
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
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XC3S400-4TQG144I
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A54SX16A-1FGG256M
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XC4020XL-1HT176C
Xilinx Inc.
EP2C20F256C7N
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5SGXMA7H2F35I3
Intel
XC6VLX240T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03FN256I
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LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10AQC208-3N
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EP1SGX25DF1020C5
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