maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBT918LT1G
Référence fabricant | MMBT918LT1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MMBT918LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBT918LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 600MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
Gain | 11dB |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT918LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBT918LT1G-FT |
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
XC2V500-4FG256I
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
XC6SLX16-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EPF10K50VBC356-1N
Intel
EPF10K20RI240-4N
Intel