maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 55GN01CA-TB-E
Référence fabricant | 55GN01CA-TB-E |
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Numéro de pièce future | FT-55GN01CA-TB-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
55GN01CA-TB-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 4.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Gain | 9.5dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | 3-CP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01CA-TB-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 55GN01CA-TB-E-FT |
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S100E-4VQ100I
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A42MX16-PQG208A
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A3P125-VQG100
Microsemi Corporation
10CL055YF484C8G
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10AX032H2F34E2SG
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LFXP6C-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5G
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