maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NSVMMBTH10LT1G
Référence fabricant | NSVMMBTH10LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSVMMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSVMMBTH10LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Fréquence - Transition | 650MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBTH10LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVMMBTH10LT1G-FT |
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
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HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
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HFA3128B
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HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
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XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGL030V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4
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5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
EP4SE820F43C3N
Intel
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel
EP20K1500EFC33-1
Intel