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Référence fabricant | MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B-FT |
MT49H16M18FM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel