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Référence fabricant | MT49H16M18FM-25 IT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H16M18FM-25 IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 288Mb (16M x 18) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-µBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H16M18FM-25 IT:B TR-FT |
MT47H32M16HR-25E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16U67A3WC1
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel