maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT49H16M36BM-18 IT:B
Référence fabricant | MT49H16M36BM-18 IT:B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT49H16M36BM-18 IT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H16M36BM-18 IT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (16M x 36) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 15ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-µBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M36BM-18 IT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H16M36BM-18 IT:B-FT |
MT47H32M16NF-25E AUT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16U67A3WC1
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:M
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:H
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel