maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT49H16M36BM-18:B
Référence fabricant | MT49H16M36BM-18:B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT49H16M36BM-18:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H16M36BM-18:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (16M x 36) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 15ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-µBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M36BM-18:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H16M36BM-18:B-FT |
MT47H512M4EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:M
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:H
Micron Technology Inc.
MT47H512M8WTR-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M8WTR-25E:C TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel