maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT49H16M18FM-33:B
Référence fabricant | MT49H16M18FM-33:B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT49H16M18FM-33:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H16M18FM-33:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 288Mb (16M x 18) |
Fréquence d'horloge | 300MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-µBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18FM-33:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H16M18FM-33:B-FT |
MT47H32M16HR-3:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16U67A3WC1
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:M
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel