maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M93C66-RMN3TP/K
Référence fabricant | M93C66-RMN3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M93C66-RMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M93C66-RMN3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Fréquence d'horloge | 2MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M93C66-RMN3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M93C66-RMN3TP/K-FT |
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI6
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TH58BYG2S3HBAI6
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TH58NYG3S0HBAI6
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TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc