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Référence fabricant | M48Z12-200PC1 |
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Numéro de pièce future | FT-M48Z12-200PC1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M48Z12-200PC1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 200ns |
Temps d'accès | 200ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-PCDIP, CAPHAT® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z12-200PC1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M48Z12-200PC1-FT |
TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG3S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel