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Référence fabricant | TH58NVG4S0HTAK0 |
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Numéro de pièce future | FT-TH58NVG4S0HTAK0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TH58NVG4S0HTAK0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 16Gb (2G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58NVG4S0HTAK0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TH58NVG4S0HTAK0-FT |
W631GG6KB-11
Winbond Electronics
W631GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-15 TR
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W631GG6KB12I
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W631GG6KB12I TR
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W631GG6KB15I
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W631GG6KB15I TR
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W631GU6KB-12
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W631GU6KB-12 TR
Winbond Electronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
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A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
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LFE2M100E-7F900C
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LCMXO1200E-3B256C
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Lattice Semiconductor Corporation
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5AGTFC7H3F35I3G
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