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Référence fabricant | TC58NVG2S0HTAI0 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58NVG2S0HTAI0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TC58NVG2S0HTAI0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NVG2S0HTAI0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58NVG2S0HTAI0-FT |
W9751G6KB-18
Winbond Electronics
W9751G6KB-18 TR
Winbond Electronics
W9751G6KB-25 TR
Winbond Electronics
W9751G6KB25I TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-15
Winbond Electronics
W631GG6KB-12
Winbond Electronics
W631GG6KB-11
Winbond Electronics
W631GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-15 TR
Winbond Electronics
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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EP2AGZ350FH29I4N
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5SGSED6N1F45I2N
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XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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