maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C512-90F6
Référence fabricant | M27C512-90F6 |
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Numéro de pièce future | FT-M27C512-90F6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C512-90F6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 90ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CDIP Frit Seal with Window |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C512-90F6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C512-90F6-FT |
R1LP0408DSB-5SI#S0
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
SM28VLT32SHKN
Texas Instruments
BQ4016MC-70
Texas Instruments
BQ4016YMC-70
Texas Instruments
BQ4017YMC-70
Texas Instruments
BQ4013MA-120
Texas Instruments
BQ4013MA-85
Texas Instruments
BQ4013YMA-120
Texas Instruments
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
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EPF6016AFC100-1
Intel