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Référence fabricant | BQ4016YMC-70 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4016YMC-70 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4016YMC-70 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-DIP Module (18.42x52.96) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4016YMC-70 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4016YMC-70-FT |
W632GG6KB-09
Winbond Electronics
W632GG6KB-11
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W632GG6KB-11 TR
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W632GG6KB-15
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W632GG6KB11I
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XC3S200A-5FG320C
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M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
Intel
5AGXBB3D4F35C5N
Intel