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Référence fabricant | BQ4016YMC-70 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4016YMC-70 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4016YMC-70 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-DIP Module (18.42x52.96) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4016YMC-70 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4016YMC-70-FT |
W632GG6KB-09
Winbond Electronics
W632GG6KB-11
Winbond Electronics
W632GG6KB-11 TR
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W632GG6KB-12
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W632GG6KB-12 TR
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W632GG6KB-15
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W632GG6KB-15 TR
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W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
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XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel