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Renesas Electronics America RMLV0408EGSB-4S2#HA0

Numéro de pièce MFG
RMLV0408EGSB-4S2#HA0
quantité disponible
55170 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Caractéristiques

Référence fabricant RMLV0408EGSB-4S2#HA0
Numéro de pièce future FT-RMLV0408EGSB-4S2#HA0
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire SRAM
La technologie SRAM
Taille mémoire 4Mb (512K x 8)
Fréquence d'horloge -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 45ns
Temps d'accès 45ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 32-TSOP II
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RMLV0408EGSB-4S2#HA0-FT

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