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Référence fabricant | BQ4017YMC-70 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4017YMC-70 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4017YMC-70 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-DIP Module (18.42x52.96) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4017YMC-70 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4017YMC-70-FT |
W632GG6KB-11
Winbond Electronics
W632GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-12
Winbond Electronics
W632GG6KB-12 TR
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W632GG6KB-15
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W632GG6KB-15 TR
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W632GG6KB-18
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W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
Winbond Electronics
W632GG6KB12I TR
Winbond Electronics
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel