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Référence fabricant | RMLV0408EGSB-4S2#AA0 |
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Numéro de pièce future | FT-RMLV0408EGSB-4S2#AA0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-TSOP II |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RMLV0408EGSB-4S2#AA0-FT |
W631GU6KB12I
Winbond Electronics
W631GU6KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU6KB15I
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W631GU6KB15I TR
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W632GG6KB-09
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W632GG6KB-11
Winbond Electronics
W632GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-12
Winbond Electronics
W632GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-15
Winbond Electronics
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation