maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C256B-12F1
Référence fabricant | M27C256B-12F1 |
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Numéro de pièce future | FT-M27C256B-12F1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C256B-12F1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CDIP Frit Seal with Window |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C256B-12F1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C256B-12F1-FT |
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel