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Référence fabricant | R1LP0408DSB-5SI#B1 |
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Numéro de pièce future | FT-R1LP0408DSB-5SI#B1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R1LP0408DSB-5SI#B1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-TSOP II |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LP0408DSB-5SI#B1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R1LP0408DSB-5SI#B1-FT |
W631GG6KB15I
Winbond Electronics
W631GG6KB15I TR
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W631GU6KB-12
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W631GU6KB-15
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W631GU6KB15I TR
Winbond Electronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel