maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C256B-10F1
Référence fabricant | M27C256B-10F1 |
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Numéro de pièce future | FT-M27C256B-10F1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C256B-10F1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CDIP Frit Seal with Window |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C256B-10F1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C256B-10F1-FT |
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
XC3S1000-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.