maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M24M02-DWMN3TP/K
Référence fabricant | M24M02-DWMN3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M24M02-DWMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M24M02-DWMN3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | 450ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24M02-DWMN3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M24M02-DWMN3TP/K-FT |
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI4
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