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Référence fabricant | TC58NYG1S3HBAI4 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58NYG1S3HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TC58NYG1S3HBAI4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-TFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NYG1S3HBAI4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58NYG1S3HBAI4-FT |
W25Q128FVCJF
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel