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Référence fabricant | TC58BVG2S0HBAI4 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58BVG2S0HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Benand™ |
TC58BVG2S0HBAI4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-TFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BVG2S0HBAI4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58BVG2S0HBAI4-FT |
W25Q64JVTCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCIF
Winbond Electronics
W25Q128FVCIG
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W25Q128FVCIG TR
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W25Q128FVCIP
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W25Q128FVCJF
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W25Q128FVCJF TR
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W25Q128FVCJQ
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W25Q128FVCJQ TR
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W25Q16DVTCIG
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
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A42MX16-2PQ208
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EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel