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Référence fabricant | TC58BYG2S0HBAI4 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58BYG2S0HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Benand™ |
TC58BYG2S0HBAI4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 4G (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-TFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG2S0HBAI4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58BYG2S0HBAI4-FT |
W25Q128FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCIP
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF
Winbond Electronics
W25Q128FVCJF TR
Winbond Electronics
W25Q128FVCJQ
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W25Q128FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DVTCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF
Winbond Electronics
W25Q256FVCIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel