maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXKH47N60C
Référence fabricant | IXKH47N60C |
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Numéro de pièce future | FT-IXKH47N60C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IXKH47N60C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 650nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXKH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKH47N60C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXKH47N60C-FT |
IXTH1N200P3HV
IXYS
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
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LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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