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IXYS IXTH200N10T

Numéro de pièce MFG
IXTH200N10T
quantité disponible
34790 Pièces
Prix de référence
USD 5.064
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTH200N10T.pdf
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IXTH200N10T Caractéristiques

Référence fabricant IXTH200N10T
Numéro de pièce future FT-IXTH200N10T
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMV™
IXTH200N10T Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 550W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH200N10T Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTH200N10T-FT

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