maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTH76P10T
Référence fabricant | IXTH76P10T |
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Numéro de pièce future | FT-IXTH76P10T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchP™ |
IXTH76P10T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 76A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 298W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXTH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH76P10T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTH76P10T-FT |
IXFR64N50Q3
IXYS
IXFR64N60Q3
IXYS
IXFR102N30P
IXYS
IXFR140N20P
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IXFR20N100P
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IXFR20N120P
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LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
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XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
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