maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTH90P10P
Référence fabricant | IXTH90P10P |
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Numéro de pièce future | FT-IXTH90P10P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarP™ |
IXTH90P10P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 462W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXTH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH90P10P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTH90P10P-FT |
IXFR64N60Q3
IXYS
IXFR102N30P
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LCMXO2-7000HE-6TG144I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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M2GL090T-FG484
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M7A3P1000-PQ208
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5SGXEB5R3F43C3N
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XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
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A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
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5CGXFC4C6U19I7N
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