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Référence fabricant | IXTH110N10L2 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTH110N10L2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Linear L2™ |
IXTH110N10L2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 110A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 600W (Tc) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXTH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH110N10L2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTH110N10L2-FT |
IXFR140N20P
IXYS
IXFR140N30P
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IXFR16N120P
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XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel