maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGT16N170
Référence fabricant | IXGT16N170 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGT16N170 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXGT16N170 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 32A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 16A |
Puissance - Max | 190W |
Énergie de commutation | 9.3mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 78nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 45ns/400ns |
Condition de test | 1360V, 16A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGT16N170 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGT16N170-FT |
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation
APT100GT60B2RG
Microsemi Corporation
APT102GA60B2
Microsemi Corporation
APT40GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT40GP90B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT50GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT75GN120B2G
Microsemi Corporation
APT95GR65JDU60
Microsemi Corporation
APT25GN120SG
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel