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Microsemi Corporation APT64GA90B2D30

Numéro de pièce MFG
APT64GA90B2D30
quantité disponible
75790 Pièces
Prix de référence
USD 10.856
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 8™ IGBT 900V 117A 500W TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT64GA90B2D30.pdf
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APT64GA90B2D30 Caractéristiques

Référence fabricant APT64GA90B2D30
Numéro de pièce future FT-APT64GA90B2D30
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 8™
APT64GA90B2D30 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 900V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 117A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 193A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 38A
Puissance - Max 500W
Énergie de commutation 1192µJ (on), 1088µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 162nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/131ns
Condition de test 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT64GA90B2D30 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT64GA90B2D30-FT

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