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Microsemi Corporation APT50GP60B2DQ2G

Name: APT50GP60B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT50GP60B2DQ2G
Price: 11.460136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (87 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT50GP60B2DQ2G

quantité disponible: 88190 Pièces

Prix de référence: USD 11.460136

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS 7® IGBT 600V 150A 625W TMAX

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT50GP60B2DQ2G.pdf

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APT50GP60B2DQ2G Caractéristiques

Référence fabricant	APT50GP60B2DQ2G
Numéro de pièce future	FT-APT50GP60B2DQ2G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS 7®
APT50GP60B2DQ2G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type IGBT	PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	190A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 50A
Puissance - Max	625W
Énergie de commutation	465µJ (on), 635µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	165nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	19ns/85ns
Condition de test	400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT50GP60B2DQ2G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT50GP60B2DQ2G-FT

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