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Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Name: APT35GP120B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT35GP120B2DQ2G
Price: 17.36 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (768 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT35GP120B2DQ2G

quantité disponible: 58900 Pièces

Prix de référence: USD 17.36

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS 7® IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT35GP120B2DQ2G.pdf

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APT35GP120B2DQ2G Caractéristiques

Référence fabricant	APT35GP120B2DQ2G
Numéro de pièce future	FT-APT35GP120B2DQ2G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS 7®
APT35GP120B2DQ2G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	96A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 35A
Puissance - Max	543W
Énergie de commutation	750µJ (on), 680µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	150nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	16ns/95ns
Condition de test	600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT35GP120B2DQ2G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT35GP120B2DQ2G-FT

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