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Microsemi Corporation APT33GF120LRDQ2G

Numéro de pièce MFG
APT33GF120LRDQ2G
quantité disponible
88360 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT33GF120LRDQ2G.pdf
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APT33GF120LRDQ2G Caractéristiques

Référence fabricant APT33GF120LRDQ2G
Numéro de pièce future FT-APT33GF120LRDQ2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APT33GF120LRDQ2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 64A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Puissance - Max 357W
Énergie de commutation 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 170nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/185ns
Condition de test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-264-3, TO-264AA
Package d'appareils du fournisseur TO-264 [L]
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT33GF120LRDQ2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT33GF120LRDQ2G-FT

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