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Microsemi Corporation APT40GP60B2DQ2G

Name: APT40GP60B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT40GP60B2DQ2G
Price: 10.429864 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (718 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT40GP60B2DQ2G

quantité disponible: 62540 Pièces

Prix de référence: USD 10.429864

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS 7® IGBT 600V 100A 543W TMAX

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT40GP60B2DQ2G.pdf

APT40GP60B2DQ2G Caractéristiques

Référence fabricant	APT40GP60B2DQ2G
Numéro de pièce future	FT-APT40GP60B2DQ2G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS 7®
APT40GP60B2DQ2G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type IGBT	PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 40A
Puissance - Max	543W
Énergie de commutation	385µJ (on), 350µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	135nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	20ns/64ns
Condition de test	400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT40GP60B2DQ2G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT40GP60B2DQ2G-FT

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