maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFN48N55
Référence fabricant | IXFN48N55 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFN48N55 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFN48N55 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 550V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 600W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN48N55 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN48N55-FT |
IXFN170N30P
IXYS
IXFN170N65X2
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IXFN200N10P
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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