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IXYS IXFN170N65X2

Name: IXFN170N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFN170N65X2
Price: 28.0608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFN170N65X2

quantité disponible: 40600 Pièces

Prix de référence: USD 28.0608

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFN170N65X2.pdf

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IXFN170N65X2 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFN170N65X2
Numéro de pièce future	FT-IXFN170N65X2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFN170N65X2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	434nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	27000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1170W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-227B
Paquet / caisse	SOT-227-4, miniBLOC
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN170N65X2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFN170N65X2-FT

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