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IXYS IXFH60N25Q

Name: IXFH60N25Q
Brand: IXYS
SKU: IXFH60N25Q
Availability: InStock
Rating: 4.7 (70 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFH60N25Q

quantité disponible: 36430 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFH60N25Q.pdf

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IXFH60N25Q Caractéristiques

Référence fabricant	IXFH60N25Q
Numéro de pièce future	FT-IXFH60N25Q
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFH60N25Q Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	360W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247AD (IXFH)
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH60N25Q Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFH60N25Q-FT

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