maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH40N30
Référence fabricant | IXFH40N30 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFH40N30 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFH40N30 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH40N30 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH40N30-FT |
IXFH140N10P
IXYS
IXFH14N60P
IXYS
IXFH14N60P3
IXYS
IXFH14N80P
IXYS
IXFH150N20T
IXYS
IXFH15N100P
IXYS
IXFH160N15T2
IXYS
IXFH16N60P3
IXYS
IXFH16N80P
IXYS
IXFH170N10P
IXYS
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation