maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFN170N30P
Référence fabricant | IXFN170N30P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFN170N30P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Polar™ |
IXFN170N30P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 138A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 85A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 258nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 890W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN170N30P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN170N30P-FT |
IXFH36N55Q
IXYS
IXFH36N55Q2
IXYS
IXFH40N30
IXYS
IXFH40N30Q
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XC3164A-3TQ144C
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M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
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