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Référence fabricant | IXFN20N120P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFN20N120P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Polar™ |
IXFN20N120P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 595W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN20N120P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN20N120P-FT |
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IXYS
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A54SX32-1TQ144M
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Xilinx Inc.