maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFN32N100P
Référence fabricant | IXFN32N100P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFN32N100P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Polar™ |
IXFN32N100P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 27A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 690W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN32N100P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN32N100P-FT |
IXFH60N25Q
IXYS
IXFH66N20Q
IXYS
IXFH67N10
IXYS
IXFH6N100
IXYS
IXFH6N90
IXYS
IXFH70N15
IXYS
IXFH74N20
IXYS
IXFH75N10Q
IXYS
IXFH7N80
IXYS
IXFH7N90Q
IXYS
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel