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IRLS640A Image

ON Semiconductor IRLS640A

Numéro de pièce MFG
IRLS640A
quantité disponible
10120 Pièces
Prix de référence
USD 1.536
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRLS640A.pdf
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IRLS640A Caractéristiques

Référence fabricant IRLS640A
Numéro de pièce future FT-IRLS640A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRLS640A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 4.9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1705pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220F
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLS640A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLS640A-FT

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